武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58512FT芯片编程烧录
TC58512FT是TOSHIBA东芝的一款单电源 3.3V、512Mbit(553,648,128 位)的NAND可电擦写可编程只读存储器(NAND E2PROM)。它的组织方式为 528 字节 × 32 页 × 4096 块,进一步提升了数据管理的效率和存储密度。

图片来源TOSHIBA东芝官网
该芯片配备了一个528字节的静态寄存器,支持以528字节为单位进行数据传输,提升系统读写效率,降低传输延迟。而它的擦除是以块为单位进行的(16 K字节 512 字节:528 字节 32 页),使得系统在进行数据更新和存储时更高效、更精准。
TC58512 采用串行类型存储器设计,利用 I/O 引脚进行地址和数据输入输出,同时也用于命令输入。命令、地址、数据分时复用同一组 I/O,擦除和编程操作可以自动执行,这使得该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、数码相机图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的系统。
主要特性:
组织
存储单元阵列 528 x128K x8
寄存器 528x8
页面大小 528 字节
块大小 (16K 512) 字节
模式读取、重置、自动页面编程自动块擦除、状态读取多块编程、多块擦除模式控制串行输入/输出 命令控制
电源 VCC 2.7 V 到 3.6 V
编程/擦除循环 1E5 次循环(带 ECC)
访问时间
单元阵列到寄存器最长 25 微秒
串行读取周期最短 50 纳秒
工作电流
读取(50 纳秒周期) 典型 10 mA
编程(平均)典型 10 mA
擦除(平均)典型 10 mA
待机 100 μA
封装 TSOPI48-P-1220-0.50(重量:典型 0.53 g)

内部框图
武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商,专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时,也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录,同时提供联机、脱机等工作模式,可全方位满足TOSHIBA东芝系列TC58512FT芯片的裸片离线烧录与在板烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计,编程带宽高达1.6Gb/s;内置128GB eMMC母头模块,能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率;配备4.3英寸LCD触摸屏,优化脱机操作的交互体验;支持“一拖八”并行烧录,可实现复杂多样的烧录需求;且设备集成多种丰富接口,涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等,灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件,支持自动化场景定制,适配智能化产线需求;支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片,烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片(IC)烧录解决方案。


