TC58NVG0S3CTA00系列是TOSHIBA东芝的一款NAND E2PROM储存器。改器件采用3.3V单电源供电，容量为1 Gbit，其存储容量约为 1,107,296,256 位。较大的存储空间，非常适合用于需要海量数据存储的场景。

图片来源：TOSHIBA东芝官网

这款芯片的结构为：(2048 × 64) 字节 × 64 页 × 1024 块，它配备有两个2112字节的静态寄存器，可以以2112字节为单位进行程序和数据的传输与读取，极大提升了数据处理效率。由于其采用串行传输方式，只需少量的I/O引脚即可完成地址、数据和命令的输入输出操作。同时，该芯片具备自动擦除和编程功能，让整个存储过程更加高效、稳定，无需手动干预。这使得它在嵌入式系统、工业设备以及消费电子中得到了广泛应用。例如，它的应用可能包括高端固态存储、语音系统、图像采集设备等。

主要特性：

存储单元阵列 2112 × 64K × 8

寄存器  2112 × 8

页大小 2112 字节

块大小（128K 4K）字节

模式 读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页拷贝、多页编程、多块擦除、多页拷贝、多页读取

模式控制 串行输入/输出 命令控制

有效块数量 最少 1004 块 最多 1024 块

电源供应 VCC = 2.7 V 至 3.6 V

访问时间

单元阵列到寄存器 30 µs 最大

串行读取循环 50 ns 最小

编程/擦除时间

自动页编程：待机 300 µs/页

自动块擦除：典型 2.5 ms/块

工作电流

读取（50 ns 循环）最大 30 mA

编程（平均） 最大 30 mA

擦除(平均）最大 30 mA

待机最大50 µA

封装 TC58NVG0S3CTA00 TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：典型 0.53 g）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58NVG0S3CTA00芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。