TC58BYG0S3HBAI6是一款容量为1Gbit的NAND E²PROM，总容量为1,107,296,256位，采用单一1.8V电源供电。每个页面包含2048字节主数据区和64字节备用区，每个数据块由64页组成，整颗芯片共有1024个块。

TC58BYG0S3HBAI6内部有一个2112字节静态寄存器，相当于外部接口与NAND存储阵列之间的“页面缓存区”。其容量正好对应一个完整页面，进行页面读取时，芯片先将目标页面内容从存储阵列传输至静态寄存器，外部控制器再通过I/O接口读取数据。

图片来源TOSHIBA东芝官网

TC58BYG0S3HBAI6通过I/O引脚复用完成命令输入、地址输入以及数据输入输出。

在不同操作阶段，同一组I/O引脚会承担不同功能：

命令阶段用于接收读取、编程和擦除指令；地址阶段用于输入列地址和页面地址；数据阶段用于传输页面内容或状态信息。

TC58BYG0S3HBAI6采用NAND Flash常见的“按页编程、按块擦除”方式。NAND Flash通常不能直接覆盖已经编程的数据。需要修改某一页面时，一般应先擦除其所在数据块，再重新写入需要保留和更新的页面。

TC58BYG0S3HBAI6内部控制器能够自动执行编程与擦除操作。使该器件非常适合用于固态文件存储、语音录制、数码相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的系统。

内部框图

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