TC58CVG0S3HxAIx 是TOSHIBA东芝的一款1Gbit面向嵌入式应用的串行接口 NAND Flash，支持 SPI 通信。其存储阵列组织方式为（2048+64）字节×64页×1024块，每个页面包含2048字节主数据区和64字节备用区，每个数据块包含64页，整颗芯片共有1024个块。

TC58CVG0S3HxAIx内部配置一个2112字节数据缓冲区，取页面时，芯片首先将目标页面从NAND存储阵列传输至内部缓冲区，外部控制器再通过SPI接口读取缓存内容。页面编程时，数据传输方向则相反。

图片来源：TOSHIBA东芝官网

TC58CVG0S3HxAIx支持用于顺序页面读取的高速模式。普通读取过程中，芯片需要将页面内容从存储阵列转移到内部缓冲区，这一阶段对应页面读取时间tR。启用高速模式后，连续页面读取时的平均tR可以缩短。在连续加载程序、读取较大文件或顺序处理数据时，这一功能有助于减少页面之间的等待时间。

此外，TC58CVG0S3HxAIx内部集成ECC逻辑，可以针对每个（512+16）字节的数据范围，纠正最多8位读取错误。除自动纠错外，该系列内部ECC逻辑还能提供较详细的位翻转计数信息。如果某个页面或数据块的位翻转数量不断增加，说明该区域的数据状态可能正在变弱。系统可以根据ECC报告采取相应措施，例如：

1.提前刷新相关页面数据

2.将数据迁移至状态更好的存储块

3.更新逻辑地址映射关系

4.将异常块加入管理列表

5.记录存储器健康状态

位翻转计数就像一份存储区域的“健康报告”，不仅用于判断当前数据能否纠正，也能为后续数据维护和寿命管理提供依据。

主要特性：

组织（内部ECC 已启用，默认）

内存单元阵列2112 × 64 × 1024 × 8 位

数据缓冲区2112 × 8 位

页面大小2112 字节

块大小（128K + 4K）字节

组织（内部ECC 已禁用）

内存单元阵列2176 × 64 × 1024 × 8 位

数据缓冲区2176 × 8 位

页面大小2176 字节

块大小（128K + 8K）字节

ECC 每 512 字节需要 8 位 ECC

设备内部有ECC 逻辑

模式：页面读取、页面编程、块擦除、内部数据移动、复位、写使能、写禁止、块锁定、获取特性、设置特性、块保护、参数页读取、ID 读取、唯一 ID 读取

电源VCC = 2.7 V 到 3.6 V

存取时间

单元阵列到数据缓冲区:155 µs 最大、70 µs 典型

数据传输速率104 MHz 最大

编程/擦除时间

编程时间360 µs/页 典型

块擦除时间2.0 ms/块 典型

工作电流

读取操作电流（HSE 开启时，平均） 21 mA 最大

读取操作电流（HSE 关闭时，平均） 15 mA 最大

编程操作电流（平均）18 mA 最大

擦除操作电流（平均）22 mA 最大

待机电流180 µA 最大、35 µA 典型

封装:SOP16(P-SOP16-1111-1.27-001) - WSON8 (P-WSON8-0608-1.27-003)

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片的离线(裸片)烧录与在线(isp)烧录的量产需求。

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