武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58NVG0S3CTA00芯片编程烧录
TC58NVG0S3CTA00系列是TOSHIBA东芝的一款NAND E2PROM储存器。改器件采用3.3V单电源供电，容量为1 Gbit，其存储容量约为 1,107,296,256 位。较大的存储空间，非常适合用于需要海量数据存储的场景。
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2026-08-25 00:18:23
武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58BYG0S3HBAI6芯片编程烧录
TC58BYG0S3HBAI6是东芝推出的1Gbit并行NAND闪存芯片，单一1.8V供电。页面由2048字节主数据区加64字节备用区构成，每块64页，共1024块；内置2112字节静态寄存器作为页面缓存，命令、地址与数据通过I/O引脚分时复用传输。芯片采用按页编程、按块擦除机制，内部控制器自动完成编程与擦除，适合固态存储、语音录制及图像存储等高密度非易失存储应用。武芯烧录器已支持该芯片的离线烧录需求。
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2026-08-26 14:47:14
武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片编程烧录
TC58CVG0S3HxAIx 是TOSHIBA东芝的一款1Gbit面向嵌入式应用的串行接口 NAND Flash，支持 SPI 通信。武芯ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片的离线(裸片)烧录与在线(isp)烧录的量产需求。
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2026-08-27 11:27:37
